... 緊範圍涉及鑽石及氧化鎵原材料技術,有關技術可能用於軍事科技發展,必須確保相關風險受控。 氧化鎵是開發半導體所必 ...全文
宏光半導體(06908) 自願公佈 - 業務最新消息有關氮化鎵於互聯網數據中心電力基礎設施之首次行業實地試驗( ...全文
... 萬美元投資加拿大氮化鎵技術企業GaN Systems可轉換優先股,GaN Systems主要從事開發多種GaN ...全文
... 半導體,多數是指砷化鎵(GaAs,Gallium Arsenide)、磷化銦(InP,Indium phosp ...全文
... 的矽,而是新材料氮化鎵和碳化矽。不過本港欠缺相關的上市公司,較接近的只有賽晶科技(00580),惟該股剛進入領 ...全文
... 譜儀大多使用「砷化銦鎵」(InGaAs)半導體技術,成本昂貴且操作要求亦較嚴格,大多只能於實驗室內進行。近年市 ...全文
今日信報財經新聞StartupBeat 創科鬥室2021年08月13日
... FET器件,以及氮化鎵場效應電晶體。當中二極體和電晶體出貨量全球第一、邏輯晶片全球第二、ESD保護器件全球第一 ...全文
... 打印方式,把液態金屬鎵銦合金(EGaIn)打印在「苯乙烯–丁二烯–苯乙烯」(SBS)物料上,組合成「液態金屬纖 ...全文
今日信報財經新聞StartupBeat 創科鬥室2021年03月25日
... 化矽(SiC)或氮化鎵(GaN)等第三代半導體材料所取代。碳化矽的寬能隙(band gap)是矽半導體寬的三倍 ...全文
... 布了全新650V氮化鎵(GaN)技術並通過車規級認證,安世德國也發布了新一代碳化矽(SiC)技術,兩者均屬第三 ...全文
... 主要是由碳化硅和氮化鎵等材料製成的晶片組,被廣泛用於第五代射頻晶片、軍用雷達和電動車。現在未有國家在新興的第三 ...全文