... 打印方式,把液態金屬鎵銦合金(EGaIn)打印在「苯乙烯–丁二烯–苯乙烯」(SBS)物料上,組合成「液態金屬纖 ...全文
今日信報財經新聞StartupBeat 創科鬥室2021年03月25日
... 化矽(SiC)或氮化鎵(GaN)等第三代半導體材料所取代。碳化矽的寬能隙(band gap)是矽半導體寬的三倍 ...全文
... 布了全新650V氮化鎵(GaN)技術並通過車規級認證,安世德國也發布了新一代碳化矽(SiC)技術,兩者均屬第三 ...全文
... 主要是由碳化硅和氮化鎵等材料製成的晶片組,被廣泛用於第五代射頻晶片、軍用雷達和電動車。現在未有國家在新興的第三 ...全文
... 嘉、林霖、甄家希、李鎵渝,以及帶領她們的科學及化學老師劉師楠。 她們今年發明了一款「凝膠薄膜」(Aqua Sh ...全文
... 級蝕刻方法,更使用銦鎵砷(InGaAs)合金半導體材料,有望成為矽(Silicon)的替代品。(MIT New ...全文
今日信報財經新聞StartupBeat 創科鬥室2018年12月12日
... itride, 氮化鎵)領域,其GaAs(Gallium Arsenide,砷化鎵)和氮化鎵半導體生產線有望打 ...全文